前處理：包括除油、微蝕等步驟，去除基板表面的有機物和氧化層，粗化表面以提高鍍層附著力。對于羅杰斯等特殊基材，可能還需要進行等離子體處理。

種子層沉積：采用化學鍍或物相沉積（PVD）方法，在基板表面形成一層薄的導電種子層，通常為銅或鎳，厚度約 0.1-0.5μm。

基材預處理：奠定結合與信號基礎

先進行除油脫脂，用堿性或中性清洗劑去除基材表面油污、指紋，避免影響鍍層附著力。

針對 PTFE、羅杰斯等特殊基材，需額外做等離子體活化 / 化學粗化，提升表面活性與粗糙度。

通過微蝕 + 水洗，去除表面氧化層，同時形成均勻微觀粗化面，增強后續(xù)種子層結合力。

圖形電鍍：加厚功能鍍層

優(yōu)先采用脈沖電鍍或周期反向電鍍，在線路裸露區(qū)域沉積銅層（厚度 5-15μm），保證鍍層結晶細密、低電阻率。

關鍵區(qū)域（如射頻接口、連接器）需進行選擇性電鍍，額外沉積金、銀等低損耗鍍層，厚度根據(jù)需求控制在 0.1-3μm。

電鍍過程中嚴格控制電流密度（1-5A/dm2）、鍍液溫度（20-30℃）及攪拌速度，確保鍍層均勻性與平整度。

去膠與蝕刻：剝離多余金屬

用化學脫膠劑或等離子體去除表面光刻膠 / 干膜，露出下方未被電鍍覆蓋的種子層。

采用微蝕工藝，蝕刻掉多余種子層，僅保留電鍍形成的功能線路，控制側蝕量≤0.5μm。

蝕刻后徹底水洗，避免殘留藥劑腐蝕鍍層或基材。