微觀結(jié)構(gòu)：銦靶晶粒尺寸一般需維持在 10-50 微米區(qū)間，密度高于 7.31g/cm3，熱導(dǎo)率保持在 81.8W/(m?K) 以上，這些技術(shù)參數(shù)直接決定了其在真空濺射過程中的沉積效率和薄膜質(zhì)量。

精銦的制備需經(jīng)過多步精煉，核心工藝包括：

原料預(yù)處理：以鋅冶煉副產(chǎn)物（如浸出渣、煙灰）或含銦廢料為原料，通過酸浸、萃取等方式初步分離銦。

電解精煉：將粗銦溶解為銦鹽溶液（如硫酸銦），通過電解沉積得到純度約 99.95% 的粗精銦。

深度提純：

真空蒸餾：在高真空條件下利用銦與雜質(zhì)的沸點(diǎn)差異（銦沸點(diǎn) 2080℃，雜質(zhì)如鋅沸點(diǎn) 907℃）去除低沸點(diǎn)雜質(zhì)。

區(qū)域熔煉：通過移動(dòng)加熱區(qū)使雜質(zhì)在固液界面重新分布，多次操作后可將純度提升至 6N 以上。

化學(xué)提純：利用萃取劑（如三丁基氧化膦）或離子交換樹脂進(jìn)一步去除微量金屬離子。

靶材原料（占比約 60%）：

用于制備 ITO（氧化銦錫）靶材，生產(chǎn) LCD、OLED 顯示面板的透明導(dǎo)電膜（如手機(jī)屏幕、電視面板）。

光伏領(lǐng)域：作為 CIGS（銅銦鎵硒）薄膜太陽(yáng)能電池的關(guān)鍵原料，提升光電轉(zhuǎn)換效率。

合金與特殊材料（占比約 10%）：

銦錫合金：熔點(diǎn)低至 120℃，用于保險(xiǎn)絲、牙科材料；銦鉛合金可作為核反應(yīng)堆的中子吸收材料。

銦箔與涂層：高純銦箔用于真空密封、輻射屏蔽（如 X 射線探測(cè)器），或作為耐腐蝕涂層（如海洋工程）。

科研與新興領(lǐng)域：

量子點(diǎn)顯示、鈣鈦礦電池、柔性電子器件等前沿技術(shù)中，精銦作為高純?cè)嫌糜诒∧こ练e或材料合成。