ITO靶材，全稱氧化銦錫靶材，是一種專門用于磁控濺射鍍膜的材料。氧化銦錫（簡稱ITO）是一種n型半導體材料，通常由90%的氧化銦（In?O?）和10%的氧化錫（SnO?）組成。這種材料以其的透明度和導電性，成為現(xiàn)代電子工業(yè)中不可或缺的組成部分。無論是智能手機的觸摸屏、平板電腦的顯示面板，還是太陽能電池的透明電極，ITO靶材都以其獨特的功能支撐著這些設備的運行。

從化學角度看，ITO是一種復合氧化物，其性能很大程度上取決于氧化銦和氧化錫的比例。氧化銦提供高透明度，而氧化錫的摻雜則增強了材料的導電性。通過控制這兩者的配比，ITO能夠在保持光學透明的同時，具備接近金屬的導電能力。這種“透明卻導電”的特性，使得ITO成為制造透明導電膜的理想選擇。

冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結(jié)固化。

優(yōu)點：工藝相對簡單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。

缺點：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。

適用場景：中低端電子產(chǎn)品或?qū)嶒炇已邪l(fā)用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權衡成本與性能。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導率高，確保了設備的運行。