從物理性質(zhì)上看，ITO靶材具有以下幾個(gè)顯著特點(diǎn)：

高透明度：在可見光范圍內(nèi)（波長(zhǎng)400-700納米），ITO薄膜的透光率可高達(dá)90%以上，幾乎與普通玻璃相當(dāng)。

優(yōu)異導(dǎo)電性：其電阻率通常在10??歐姆·厘米的量級(jí)，遠(yuǎn)低于大多數(shù)透明材料。

化學(xué)穩(wěn)定性：在常溫下，ITO對(duì)水、氧氣等環(huán)境因素表現(xiàn)出良好的抗腐蝕能力。

機(jī)械耐久性：ITO薄膜具備一定的硬度和耐磨性，能夠應(yīng)對(duì)日常使用中的輕微刮擦。

這些特性讓ITO靶材在實(shí)際應(yīng)用中游刃有余，尤其是在需要兼顧光學(xué)和電學(xué)性能的場(chǎng)景中。

ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來(lái)，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時(shí)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。

制造ITO靶材是一項(xiàng)技術(shù)密集型的工作，涉及從原料配比到成型加工的多個(gè)環(huán)節(jié)。高質(zhì)量的ITO靶材需要具備高密度、均勻性和穩(wěn)定性，而這些要求背后隱藏著復(fù)雜的工藝和諸多挑戰(zhàn)。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。

熱壓燒結(jié)法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。

優(yōu)點(diǎn)：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過(guò)99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。

適用場(chǎng)景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦的顯示屏制造。