ITO靶材的核心用途是在磁控濺射工藝中作為“濺射源”。磁控濺射是一種常見(jiàn)的薄膜沉積技術(shù)，通過(guò)高能離子轟擊靶材表面，使靶材原子被“敲擊”出來(lái)，終沉積在基板上，形成一層均勻的ITO薄膜。這層薄膜厚度通常在幾十到幾百納米之間，卻能同時(shí)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電和透光的功能。

目前，ITO靶材的制備主要有兩種常見(jiàn)方法：熱壓燒結(jié)法和冷等靜壓法。

熱壓燒結(jié)法

工藝流程：將氧化銦和氧化錫粉末按比例混合后，放入模具，在高溫（1000-1500°C）和高壓（幾十到幾百兆帕）下壓制成型。高溫使粉末顆粒熔融結(jié)合，形成致密的靶材結(jié)構(gòu)。

優(yōu)點(diǎn)：這種方法制備的靶材密度接近理論值（通常超過(guò)99%），晶粒分布均勻，適合高精度鍍膜需求。

缺點(diǎn)：設(shè)備復(fù)雜，能耗高，生產(chǎn)成本較高。

適用場(chǎng)景：高端電子產(chǎn)品，如智能手機(jī)、平板電腦的顯示屏制造。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。

透明導(dǎo)電薄膜在現(xiàn)代光電行業(yè)中具有至關(guān)重要的地位，是觸摸屏、顯示器和太陽(yáng)能電池等設(shè)備中的核心組件。ITO靶材憑借其出色的透明導(dǎo)電特性成為制備透明導(dǎo)電薄膜的材料。