冷等靜壓法

工藝流程：將混合粉末裝入柔性模具，在室溫下通過高壓（100-300兆帕）壓制成型，隨后在較低溫度下燒結(jié)固化。

優(yōu)點(diǎn)：工藝相對簡單，生產(chǎn)成本較低，適合小批量或定制化生產(chǎn)。

缺點(diǎn)：靶材密度和均勻性稍遜，可能在高功率濺射中表現(xiàn)不夠穩(wěn)定。

適用場景：中低端電子產(chǎn)品或?qū)嶒?yàn)室研發(fā)用靶材。

這兩種方法各有千秋，制造商需要根據(jù)具體需求權(quán)衡成本與性能。

隨著高科技產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，稀有金屬銦的需求日益增長。銦靶材與ITO靶材作為關(guān)鍵材料，在電子、光電及半導(dǎo)體等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。本文旨在探討銦靶材與ITO靶材的區(qū)別，以及它們在回收技術(shù)、環(huán)保與經(jīng)濟(jì)效益方面的差異。

ITO靶材，即銦錫氧化物靶材，主要由氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）組成，其中氧化銦占比高達(dá)90%。ITO靶材因其優(yōu)異的導(dǎo)電性和高透光性，成為液晶顯示器（LCD）、觸摸屏及太陽能電池等光電設(shè)備的理想材料。其晶體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，電導(dǎo)率高，確保了設(shè)備的運(yùn)行。

ITO（Indium Tin Oxide，氧化銦錫）靶材是一種廣泛用于透明導(dǎo)電薄膜材料制備的復(fù)合氧化物材料，其主要成分為氧化銦（In?O?）和氧化錫（SnO?）。通常，ITO靶材中氧化銦與氧化錫的質(zhì)量比例為90:10，這一比例在實(shí)際應(yīng)用中表現(xiàn)出較為理想的光電特性，使其在透明導(dǎo)電薄膜中廣泛應(yīng)用。