純化技術(shù)

區(qū)熔法：一種通過熔化和重新結(jié)晶來純化材料的方法，可有效去除銦中的雜質(zhì)，提高其純度。

電解精煉：利用電化學反應(yīng)將銦從雜質(zhì)中分離出來。將銦材料作為陽極，置于電解液中，通過施加電流使銦離子在陰極上沉積，從而得到高純度的銦。

化學純化：利用化學反應(yīng)去除銦中的雜質(zhì)，例如通過溶劑萃取和化學沉淀等方法，可有效分離和去除雜質(zhì)，提高銦的純度。

半導體領(lǐng)域：純銦在半導體中用作薄膜層，銦靶材可用于制造高速電動機的軸承涂層，使?jié)櫥途鶆蚍植?，還可用于半導體器件的制造，如集成電路、芯片等。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個國家在半導體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國關(guān)注的重點。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長，同時推動高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。

功率與溫度管理

濺射功率：

銦的濺射閾值較低（約 10 eV），起始功率不宜過高（建議從 50 W 逐步遞增），避免瞬間過熱導致靶材熔融或飛濺（銦熔點僅 156.6℃，過熱易造成靶材局部熔化，形成 “熔坑” 影響均勻性）。

直流濺射功率密度通常為 1~5 W/cm2，射頻濺射可適當提高至 5~10 W/cm2。

靶材冷卻：

采用水冷靶架（水溫控制在 15~25℃），確保濺射過程中靶材溫度低于 80℃（高溫會導致銦原子擴散加劇，影響薄膜結(jié)晶質(zhì)量）。

定期檢查冷卻水路是否通暢，避免因散熱不良導致靶材變形或脫靶。