科研與前沿技術(shù)

1. 量子計(jì)算與超導(dǎo)器件

探索應(yīng)用：銦薄膜作為超導(dǎo)材料（如 In-Nb 合金），用于量子比特器件的制備，利用其超導(dǎo)電性實(shí)現(xiàn)低損耗量子信號(hào)傳輸。

2. 柔性電子與可穿戴設(shè)備

技術(shù)方向：在柔性電路板（FPC）、電子皮膚中作為可拉伸導(dǎo)電薄膜，利用銦的高延展性滿足器件形變需求。

銦靶是現(xiàn)代電子信息、新能源、高端制造等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的底層關(guān)鍵材料，其應(yīng)用深度和廣度直接反映一個(gè)國(guó)家在半導(dǎo)體、顯示、光伏等領(lǐng)域的技術(shù)水平。由于全球銦資源稀缺（主要伴生于鋅礦），且提純工藝復(fù)雜，銦靶的供應(yīng)鏈已成為各國(guó)關(guān)注的重點(diǎn)。未來，隨著 5G、AI、新能源汽車等產(chǎn)業(yè)的爆發(fā)，銦靶的需求將持續(xù)增長(zhǎng)，同時(shí)推動(dòng)高純銦（99.999% 以上）制備技術(shù)的不斷突破。

濺射氣體控制

氣體純度：使用高純氬氣（99.999% 以上），避免氧氣、水汽混入導(dǎo)致銦靶氧化（氧化銦導(dǎo)電性下降，易形成電弧放電）。

氣壓調(diào)節(jié)：

直流濺射（DC）：氣壓通常為 0.1~10 Pa，低氣壓下濺射速率高但薄膜致密度低；高氣壓下薄膜均勻性好但沉積速率慢。

射頻濺射（RF）：適用于絕緣基底，氣壓可略高于直流濺射，需根據(jù)薄膜厚度要求動(dòng)態(tài)調(diào)整。

小金屬：粗銦，精銦，ito銦靶材，粗稼，金屬鎵99.99以及廢料。高價(jià)回收鎳片，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，銦.銦絲.氧化銦.

高價(jià)回收鎳片，鎳泥，鎳催化劑，含鎳物料，銑刀， 數(shù)控刀片， 輕質(zhì)數(shù)控刀，廢合金針，針尖，高價(jià) 回收 ( 鉭 ) 鉭絲 鉭粉 鉭電容 鉭鈮 鉭鎢 ，銦.銦絲.氧化銦.金.金屬鍺.鍺錠99.999等.